透射电子显微镜

透射电子显微镜(TEM分析)和扫描透射电子显微镜(STEM)是使用电子束成像样品的类似技术。 TEM分析和STEM的图像分辨率约为1-2Å。 高能电子(80keV-200keV)穿透透明电子样品(约100nm厚)成像。 TEM和STEM的空间分辨率比 SEM更好但往往需要更复杂的样品制备。

主要应用

  • 1nm分辨率的计量信息
  • 识别集成电路上的nm尺度的缺陷,包括嵌入的颗粒和通孔残留物
  • 纳米级结晶相的测定
  • 纳米粒子表征:尺寸,核/壳研究,团聚,退火的影响…
  • 催化剂研究
  • 纳米级元素分布图
  • III-V族材料超晶格表征
  • 晶体缺陷表征(位错,晶界,空洞,堆垛层错)

TEM的优势

  • 所有分析技术中空间分辨率最高的元素分布
  • 优于1nm(1Å)图像分辨率
  • 小尺寸晶体学信息
  • 结晶与无定形材料之间的强烈对比,无需化学染色

TEM的局限性

  • 较长的样品制备时间(1-4hrs)
  • 采样量小。 样本通常尺寸约为100nm厚,5umx5um见方。
  • 一些材料在高能电子束下不稳定

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