聚焦离子束

聚焦离子束(FIB)仪器使用精细聚焦的离子束来修改和成像感兴趣的样品。 FIB主要用于创建非常精确的样品横截面,用于后续成像 SEMSTEM或TEM 或执行电路修改。 另外,FIB成像可用于直接成像样品,检测来自离子或电子束的发射电子。 FIB的对比机制与SEM或S / TEM不同,因此在某些情况下可以获得独特的结构信息。 双光束FIB / SEM将这两种技术集成到一个工具中,而单光束FIB仅包含离子束,电子束成像在单独的SEM,TEM或STEM仪器中进行。

作为样品制备工具,FIB可以准确地生成样品的横截面,否则无法创建:

  • FIB分析彻底改变了TEM样品的样品制备,使得识别亚微米特征和精确制备横截面成为可能。
  • FIB制备的切片广泛用于SEM显微镜,其中FIB制备,SEM成像和元素分析可以在相同的多技术工具上进行。
  • FIB制备的切片也用于俄歇电子光谱学,以快速,精确地提供地下特征的元素识别。
  • 它是检查具有小型,难以接近的特征的产品的理想工具,例如半导体工业中的产品和用于亚表面颗粒识别的产品。
  • 对于难以横截面的产品而言,它是一个很好的选择,例如难以抛光的软聚合物。

FIB的理想用途

  • SEM,STEM和TEM样品制备
  • 小型,难以访问的样本功能的高分辨率横截面图像
  • 微采样通过 原位 顶出

我们的强项

  • 横截面小目标的最佳方法
  • 快速,高分辨率的成像
  • 良好的颗粒对比成像
  • 多功能平台,支持许多其他工具

限制

  • 通常需要真空兼容性
  • 成像可能破坏后续分析
  • 分析面上残留的Ga
  • 离子束损坏可能会限制图像分辨率
  • 截面积很小

FIB技术规格

  • 检测到的信号: 电子,二次离子,X射线,光(阴极发光)
  • 成像/制图: 有
  • 横向分辨率/探头尺寸: 7 nm(离子束); 20 nm(电子束)

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