TXRF(全反射X射线荧光光谱)

总反射X-射线荧光分析法总反射X-射线荧光分析法 

TXRF(全反射X-射线荧光分析)是X–射线利用极低角度照射抛光的样品表面,X-射线的的入射角度(通常为0.05°)低于基板和样品最外表面层的临界角。从表面原子会发射出元素特性的荧光光子。

TXRF是一种灵敏度高的表面分析技术,所以TXRF在分析半导体芯片表面之金属污染方面是最佳选择。

 

 

 

应用范围

  • 半导体芯片的金属表面污染物

分析规格

  • 侦测讯号:来自芯片表面的荧光X-射线
  • 侦测元素:S-U
  • 侦测限制条件:109 - 1012 at/cm2
  • 深度分辨率:30-80A(分析深度)
  • 影像/mapping:可选
  • 横向分辨率/ 侦测尺寸:~10 mm

优点

  • 痕量元素分析
  • 调查分析
  • 定量分析
  • 非破坏性分析
  • 自动化分析
  • 全晶圆分析(最大300mm)

技术限制

  • 不能侦测低原子量的元素(Li, Na, Al)
  • 最佳侦测条件需要抛光表面

产业应用

  • 半导体
  • 电信
  • 化合物半导体
  • 光电太阳能