TEM/STEM(透射电子显微镜/扫描透射电子显微镜)

透射电子显微镜方法和扫描透射电子显微镜方法TEM/STEM(穿透式电子显微镜/扫描穿透式电子显微镜)是密切相关的技术,主要是使用电子束让样品成像。使用高能量电子束,让超薄样品的图像分辨率可以达到1-2Å的分辨率。和SEM相比,TEM和STEM具有更好的空间分辨率,并且能够作额外的分析测量,但需要更多的样品制备。

 

 

 

 

透射电子显微镜方法和扫描透射电子显微镜方法 

 

尽管与其他常用的分析工具相比,需要花费更多分析时间,但是通过TEMSTEM可以获得更丰富的信息。不仅可以获得出色的图像分辨率,也可以得到晶体结构特性、结晶取向(通过绕射实验)、产生元素图(使用EDSEELS),并且得到明显的元素对比图(暗场模式),这些方式都可在精确地定位到奈米等级的区域来进行分析。TEMSTEM是薄膜和集成电路样品的故障分析工具。

 

应用范围

  • 鉴别集成电路中奈米等级的缺陷,包括在通孔底部嵌入的颗粒和残留物。
  • 确定结晶相,作为界面距离函数
  • 奈米晶粒特性:核心/外壳调查、结块和退火效应
  • 催化剂载体的覆盖范围
  • 超小面积元素地图
  • III-V族超晶格特性
  • 晶体缺陷特性

 

分析规格

  • 侦测讯号:透射电子、散射电子、二次电子和X-射线
  • 侦测元素:B-U(EDS)
  • 侦测限制条件:0.1-1at%
  • 影像/mapping:是(EDS,EELs)
  • 终极横向分辨率:<0.2nm

优点

  • 任何分析技术的终极元素映像分辨率
  • ~0.2nm(2Å)的图像分辨率
  • 小面积样品的晶体结构信息

 

技术限制

  • 重要的样品制备时间
  • 样品制备通常小于100nm
  • 某些材料对于电子束来说不稳定

 

产业应用

  • 化合物半导体
  • 集成电路
  • 磁性介质
  • 奈米材料
  • MEMS(微机电系统)
  • 光电行业
  • 半导体
  • 金属
  • 复合材料