SIMS理论:SIMS的应用

 

今天,SIMS被广泛应用于固体材料的微量元素分析,尤其是在半导体和薄膜方面。SIMS的离子源是少数可以在没有提前汽化的条件下,从固体样品中产生离子的方法。SIMS的一次离子束可以聚焦到直径小于1um的范围内。控制一次离子束撞击样品表面,提供微量分析,以及测定元素在微观尺度上的横向分布。在SIMS分析中,样品表面会被缓慢地溅射消失。在溅射过程中持续分析所产生的深度函数,被称为深度轮廓。当溅射速率极其缓慢时,整个分析能够表现出消耗小于原子单层十分之一的结果。这种缓慢的溅射模式被称为静态SIMS,相较之下,动态SIMS则是用于深度分析。浅散射会将样品表面上有机物质的破坏减低到最小限度,所产生的离子碎片图式包含鉴定分子种类的有用信息。这种表面分析只有动态SIMS可以在计算机处理,进而协助说明,因为只有动态SIMS会产生定量信息。