SIMS理论:RSF测定标准

SIMS定量分析需要使用标准材料来测量RSF。因为离子产率取决于分析元素、溅射种类、样品基质,所以RSF必需每个单独测量。离子植入是良好的标准,它几乎可以将任何元素植入到任何基质中。离子在植入前会先通过质量分析器传递,以确保植入的纯度。典型的离子植入能量范围从50300keV不等。较高的能量通常被用于较重的离子,产生以大约0.2 um为中心的典型植入深度。更重要的是,植入的离子电流可被集成,以确定总离子剂量。但是,从总的测量中排除二次电子和离子电流时要格外小心。

在深度分析中显示的磷植入原始资料可以用于计算磷在硅元素中的RSF。阴影区域是从磷植入中获得的总讯号(3.68e6磷离子)

次级离子质谱法理论:相对灵敏性因素测定标准

 利用测定时间除以总讯号得出Ii, 测定平均磷二次离子讯号(2.69e4 / s)。需要植入剂量(在本样品中每平方厘米1e15离子)以及溅射坑深度(0.74 um)来计算平均植入浓度,CI1.35e19 atom/cc)。

 次级离子质谱法理论:相对灵敏性因素测定标准

 结合硅基质电流,IM,(2.18E8 / s),重新排列的RSF来提供RSF的计算。

 次级离子质谱法理论:相对灵敏性因素测定标准

计算出来的RSF1.09e23)与与RSF表格中的数值(1.07e23)相当接近。