RBS(卢瑟福背散射)

卢瑟福背散射光谱分析法是一种用于进行薄膜成分分析的离子散射技术。卢瑟福反散射光谱分析法是一种独一无二的技术,这种技术允许在没有应用参考标准的前提下进行量化。在卢瑟福反散射光谱分析中,高能(MeV) He2+ 离子(也就是阿尔法粒子可以直接定向到样本上,并且在给出角度中散射He2+ 离子的能量分配和产出可以进行测定。因为在每种元素中横截面反散射是已知的,就有可能从卢瑟福反散射光谱分析中获得定量成分深度轮廓,薄膜的厚度小于1μm。

卢瑟福反散射光谱分析法 

EAG在使用RBSPelletronTandetron加速器来分析薄膜的领域上,具有世界一流的经验。EAG拥有所有类型的半导体薄膜(包括氧化物、氮化物、硅化物、高K和低K介电质、金属薄膜、化合物半导体和掺杂剂等等)的分析经验,能够达到快速的工作处理时间、精确数据以及高质量的个人服务。

 

 

 

 

应用范围

  • 薄膜成分/厚度
  • 确定面积浓度(atoms/cm2)
  • 确定薄膜密度(已知厚度)

 

分析规格

  • 侦测讯号: 背向散射He原子
  • 侦测元素:B-U
  • 侦测限制条件:0.001-10at%
  • 深度分辨率:50-200Å
  • 影像/mapping:否
  • 横向分辨率/ 侦测尺寸:大于等于2mm

优点

  • 非破坏性成分分析
  • 不需使用标准品就可以定量
  • 全芯片分析(最高300mm)以及不规则和大尺寸的样品
  • 导体和绝缘体皆可分析
  • 氢元素测定(HFS)
  • 低原子量元素的灵敏度(NRA)

 

技术限制

  • 大面积分析(~2mm)
  • 只能得到样品由表面往下最多~1μm深度的有用信息

 

产业应用

  • 航天工业
  • 国防
  • 显示器
  • 半导体
  • 电信