SIMS理论:二次离子产率—一次离子束

 

其他的因素会影响SIMS测量的二次离子化效率。氧轰击会增加正离子产率,而铯轰击会增加负离子产率,增加的幅度可以到达四个数量级。

氧增强的发生是由于富氧区内金属-氧键结的结果。当这些键结在离子散射的过程中被打断时,氧因其高电子亲和力有利于电子捕获以及高游离能会抑制正电荷,因此氧变为负电荷,而金属带着正电荷离开。氧离子数的溅射会增加表面层中的氧浓度。

铯轰击会增加负离子产率,可以通过降低铯注入样品表面的功函数来解释。更多的二次电子被激发而越过表面位能障。有效的电子量增加可以提高负离子的形成。

电离效率的可变性会导致元素周期表中不同的元素使用不同的分析条件。

次级离子质谱法理论:次级离子产出—初级光束效应