RBS理论:膜厚测量

通过测量Ta峰值或者Si能阶的能量宽度,除以TaSi基质中每单位深度He的能量损失,就可以计算出TaSi层的厚度。

例如,Ta峰值的低能量端边缘对应到TaSi/Si界面上来自Ta的散射。下图显示在230 nm薄膜中TaSi/Si界面上Ta元素散射的粒子情况,具有约1.9 MeV的最终能量,而在590 nm薄膜同样界面中的散射粒子则具有较少的最终能量(大约为1.7 MeV),因为他们穿过更多的TaSi。由于其代表的层厚增大,所以整个Ta峰值跨越较大的能量范围。

卢瑟福反散射分析理论:层厚测量