Ion Channealing(沟道效应)

离子沟道Ion Channeling(离子沟道)是利用单晶的材料特性来进行薄膜分析的离子散射技术。当高能He2+ 离子束和单晶的晶轴达到适当地一致时,背向散射讯号就会急剧下降。

这种效应可以用于测定样品的晶体质量与深度的相对关系。这些应用包括晶体质量在不同处理(离子植入、退火和晶体成长)后的分析,或者确定非晶层的厚度。

 

离子沟道

EAG常规分析的范围是各式各样的半导体材料,包括非常薄的膜,离子沟道是非常独特的分析服务,EAG具有独一无二的经验,能够实现快速的工作处理时间、准确数据以及个人服务。

 

应用范围

  • 薄膜的晶体分析
  • 晶体损害/缺陷分析
  • 确定非晶化百分比
  • 确定非晶层的厚度

分析规格

  • 侦测讯号:背向散射He原子
  • 侦测元素:B-U
  • 侦测限制条件:IE20移位atoms/cm3
  • 深度分辨率:50-200Å
  • 影像/mapping:否
  • 横向分辨率/侦测尺寸:大于等于1mm

优点

  • 非破坏性深度分析
  • 不需要标准品,就可以定量非晶化和缺陷密度
  • 全芯片分析(150,200和300mm)以及不规则和大尺寸样品
  • 导体和绝缘体皆可分析

技术限制

  • 大面积分析(2mm)
  • 只能得到样品由表面往下最多~1μm深度的有用信息

产业应用

  • 国防
  • 半导体
  • 电信