SIMS理论:离子束溅射

 一次离子束的轰击会产生样品材料的单原子和多原子粒子,以及再溅射的一次离子,并伴随着电子和光子。二次粒子会带有正电荷、负电荷和中性电荷,他们的动能范围从零到几百伏特。

离子束溅射

 SIMS分析使用的一次离子束种类主要包括Cs+, O2+, O , Ar+ Ga+,能量为130keV之间。一次离子注入,并和样品原子混合,深度为110 nm之间。

典型的SIMS实验溅射速率为0.55 nm/秒之间,溅射速率取决于一次离子束的强度、样品材料和晶体取向。

溅射产率是溅射出的原子数量与一次离子撞击数量的比值, SIMS的典型溅射产率介于在515之间。