FIB(聚焦离子束)

聚焦离子束成像分析FIB(聚焦离子束)仪器使用聚焦良好的离子束对感兴趣的样品作修改与取得图像。FIB主要是在通过SEMSTEMTEM成像后,取得非常精确的样品横截面或是执行电路修改。此外,FIB可以侦测来自离子束或电子束的发射电子,用于直接成像。FIB的对比度机制与SEMS/TEM有所不同,因此在某些情况下就可以获得独特的结构信息。Dual Beam是将FIB/SEM两种技术结合成一个工具,利用FIB准备样品并且使用SEMTEMSTEM仪器得到电子影像,Single BeamFIB是只有一个离子束源。

样品制备

FIB是一种样品制备工具,可以准确地制造出样品的横截面:

  • FIB为TEM样品提供革命化的样品制备方法,可以辨别~μm等级的特点以及精确地制作横截面
  • FIB制备样品被广泛使用在SEM,其中FIB制样,SEM成像和元素分析可以发生在同一个多技术的机台中
  • 在AES中也可以使用FIB制备样品,能快速而精确地提供进表面的元素鉴别
  • 当样品为小面积且难以获取时FIB是理想工具,这种情况常出现在半导体行业以及需对表面下颗粒做鉴别
  • 对于很难获得横截面的产品来说,FIB是很好的选择,例如很难抛光的软性聚合物

聚焦离子束成像分析

EAG可以分析广泛的材料,并且定期帮助公司解决FIB样品制备和分析问题。没有任何其他的实验室可以与EAG的技术、经验以及仪器设备媲美。而且,您可以获得快速的处理时间、准确数据、个人服务,确保您理解所收到的信息。

 

应用范围

  • SEM、STEM和TEM样品制备
  • 对于微小和难以获取的样品特性提供高分辨率横截面
  • 通过原位夹出得到微型取样

 

分析规格

  • 侦测讯号: 电子、二次离子、X射线和光(阴极发光)
  • 影像/mapping:是
  • 横向分辨率/侦测尺寸:7nm(离子束);20nm(电子束)

优点

  • 对微小目标取得横面的最佳方法
  • 可快速取得高分辨率影像
  • 良好的晶粒造影
  • 支持许多其他工具的通用平台

 

技术限制

  • 样品通常需要真空兼容性
  • 取得离子影像会破坏样品表面,影响后续分析
  • 分析过后的表面会有残留的Ga
  • 离子束损坏样品表面会限制成像分辨率
  • 横截面面积小

 

产业应用

  • 生物医学/生物技术
  • 资料存储
  • 光学领域
  • 半导体
  • 电信
  • 涂层
  • 冶金