SIMS理论:二次离子产率—元素效应

 SIMS的电离效率被称为离子产率,其定义为溅射原子成为离子化的部分。离子产率在各种不同的元素中有许多不同的数量级。关于离子产率,最显著的影响是正离子游离能和负离子电子亲和力。例如,下图为正离子产率的对数与游离能函数的作图。硅基质中硅元素的离子产率与氧溅射是相关的。

次级离子质谱法理论:次级离子产出—元素效应

 

游离电位与二次离子产率的相关性并不完美,差异主要取决于样品基质以及元素本身。例如,在样品中存在的氧会增加大部分元素的正离子产率,但是氟元素几乎在所有的样品中都会异常地显现很高的正离子产率。有些元素,例如氦和氖座落在图片显示的趋势之外。

下一张图片显示了负离子的类似趋势,其中相对离子产率的对数与电子亲合性的绘图。硅基质中硅元素的离子产率与铯离子溅射是相关的。四种卤化物是和趋势线偏离最远的元素。

次级离子质谱法理论:次级离子产出—元素效应