Auger理论:Auger电子能谱

Auger电子能谱(AES)可以通过测量Auger电子能来鉴定表面的元素构成。Auger能谱会绘制电子讯号强度和电子能量的函数。Auger能量落在二次电子能量的低端与背向散射电子能量的高端之间。这些背向散射电子与一次能量百分之百发生反冲,形成弹性峰。

有时候,SEM的操作术语中会定义诸如二次和背向散射等词汇。真正的二次电子能量小于~50eV。他们可以通过SEM的二次电子侦测器在+50+200V之间进行测量。二次电子侦测器会捕获带有太多能量的电子,并且被列入背向散射类别。

Auger电子始于窄能量分布,但是当它们穿过材料时,很快就会失去能量。如果Auger电子从大于表面向下15nm的深度开始,他们就不会出现特性能量。因此,Auger分析是针对表面的。从样品更深处逸出的Auger电子会造成能谱背景尾端的损失。二次和背向散射的电子拥有广泛的能量分布,进入到Auger区域的尾端。这些干扰讯号的总和远大于Auger本身的讯号。Auger使用不同的运算法则,来强化本身的讯号。