EBSD(电子背散射衍射)

电子反散射衍射分析EBSD(电子背向散射绕射)是针对分析样品结晶性能特性的一种技术。通过这种技术,可以得到晶粒大小,晶粒取向,取向差,变形,结构和晶粒的长宽比等所有的特点。

EBSD是一个重要的分析技术可以结合XRD的卓越分析能力。尽管我们的XRD可以提供晶体结构,奈米晶粒尺寸,薄膜厚度和纹理的丰富信息,然而通过EBSD的新功能将可以提供晶体样品更完整的说明。

下面几个例子的数据是由铝薄膜样品和冷加工(变形)不锈钢获得的。

图片1:铝元素独特微粒图

图片1:铝元素独特粒径分布图
(本图片中的颜色只能用于显示单个晶粒)

图片2:显示单个微粒取向的逆电极图(纹理结构)图片2:显示单个微粒取向的逆电极图(纹理结构)

图片2:反极图,显示单个晶粒取向(纹理)

图3:显示样本纹理结构/微粒调谐的交替表现电极图。

图3:极图,另一种显示样品纹理/晶粒排列的表示

图4:冷轧不锈钢的逆电极图。

图4:冷轧不锈钢的逆电极图。

图5:当地定向误差测量的同样位置的变形图

图5: 就地测量定向误差,取得相同位置的变形图

 

应用范围

  • 退火过程的特性
  • 局部区域的纹理结构特性,例如靠近焊接点或者半导体接合焊盘
  • 当涉及钢板和铝的光洁度时,晶粒尺寸和纹理的特性
  • 较大晶粒的测定,没有与LM相关联的误差
  • 特殊晶界的特性,例如共位晶界(CSL)和双晶界
  • 测量晶粒的定向误差
  • 通过测定晶体定向误差和晶体长宽比得到变形的特征
  • 磊晶薄膜的特性
  • 经由检查横截面,观察深度结构的特性

分析规格

  • 侦测讯号:绕射电子
  • 侦测元素:所有的元素,假设他们存在于晶体基质
  • 侦测限制条件:晶粒尺寸大于80nm
  • 定量分析:晶粒尺寸和相关测定:~10%

优点

  • 直接测量粒度
  • 能够表现单独的晶界角度
  • 可以绘制某些材料的相分布图
  • 可以绘制从10nm到100μm范围的晶粒

技术限制

  • 不能测定非晶材料
  • 区分不同相的能力中等

产业应用

  • 航天工业
  • 汽车
  • 医疗植入物
  • 资料存储
  • 显示器
  • 电子领域
  • 亚铁和非铁金属
  • 工业产品
  • 照明设备
  • 制药
  • 光子学
  • 聚合物
  • 半导体
  • 光电太阳能