掺杂

掺杂是刻意添加元素至半导体材料中,主要是用于控制材料的电性。掺杂的浓度基本上是从at%到ppm之间。掺杂的浓度和分布是确定电性的关键。分析技术经常用于比较设备间的掺杂分布与电性表现。

掺杂剂

注入剂量

二次离子质谱(SIMS)和低能X-射线发射光谱(LEXES)可以准确地定量所注入剂量,能精确地比较芯片之间的剂量。LEXES也可用于跨晶圆植入剂量映射到300mm的尺寸(mapping)。

植入剂量纵向分布

SIMS可以用于特定离子植入和污染物的分布形状。如果掺杂剂具有电性,也可以使用扩散电阻分析(SRP)方法。

ULE (超低能注入)分布

LEXES,SIMS和XPS可以用于定量高剂量浅植入的掺杂剂浓度。

不同层次中的分布

SIMS可以精确地测量在硅、化合物半导体、光电和LED材料中掺杂剂的浓度与深度的关系图。