SIMS理论:灵敏度和侦测极限

大部分微量元素的SIMS侦测极限是介于1e12 1e16 atoms/cc之间。除了电离效率(RSF’s)之外,还有两个因素可以限制灵敏度。如果没有二次离子对电子倍增管进行撞击的话,其输出端会有暗电流或称为暗计数。这种暗电流源于仪器真空系统中的杂散离子和电子,以及宇宙射线。对于探测器暗电流来说,如果溅射产生的二次离子讯号比侦测器暗电流低时,就会产生计数率限制灵敏性的情况。如果SIMS仪器引入分析物元素,那么所引入的程度就会构成限制背景灵敏度。作为真空系统中的残余气体,氧气是带有背景限制灵敏度的一个元素案例。从质谱仪零件溅射出的分析物原子回到二次离子的样品上,构成背景值的另一个来源。质量干扰也会造成背景限制灵敏度。